하이닉스 세계 최초 30나노 4Gb D램 개발

-30나노 2Gb DDR3도 내년 1분기 양산

(아주경제 이하늘 기자) 하이닉스반도체는 세계 최초로 30나노급 기술을 적용해 고용량의 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 29일 밝혔다. 또한 30나노급 2Gb DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1분기 양산에 들어간다고 밝혔다.

이번 4Gb 제품은 향후 대용량 프리미엄 서버 및 고사양의 개인용 컴퓨터에서 요구하는 고용량·고성능·저전력 특성을 만족시킬 수 있다. 하이닉스는 이 제품을 통해 향후 프리미엄 제품시장을 선점한다는 계획이다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70% 가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다. 아울러 최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도도 60% 상당 빨라졌다.

2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2기가바이트(GB)의 데이터를 1초 안에 처리할 수 있는 속도이다.

아울러 30나노급 2기가Gb 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용해 기존 40나노급 2Gb 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.

하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 박성욱 부사장은 "하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있다"며 "향후 고용량·고성능·저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4Gb 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌 것"이라고 말했다.

한편 시장조사기관 아이서플라이는 2Gb D램 비중이 4분기 현재 30% 수준에서 내년 3분기에 50% 이상으로 빠르게 늘어날 것으로 전망하고 있다. 4Gb D램 역시 내년 말 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 예상된다.