삼성전자, 中 서안시에 낸드플래시 공장 건설

이번 달부터 서안시와 본격적인 실무 협의에 돌입 <br/>10나노급 낸드 플래시 양산으로 중국 시장 선점

(아주경제 이혜림 기자) 삼성전자는 중국 내 차세대 낸드플래시 생산 라인 건설을 위해 중국 섬서성 서안시와 양해각서(MOU) 체결을 위한 실무 협상을 시작한다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12월 반도체 중국 진출을 지식경제부에 신청해 올 1월에 승인을 받았다. 이는 1996년 미국 오스틴 지역 진출에 이은 두번째 해외 공장 진출이다.

삼성전자는 서안시와 실무 협상을 원만하게 마무리하고 중국 정부의 승인 절차를 완료할 경우 연내 생산라인 건설에 착수, 내년부터 가동에 들어간다는 계획이다.

'우선협상'을 시작하는 서안시는 반도체 라인 운영에 필요한 산업 용수와 전기 등 산업 인프라가 잘 갖춰져 있다. 다양한 IT 기업들의 연구 거점과 유수의 대학들이 있어 우수한 인재 확보도 가능하다.

특히 서안시를 위시한 중국 서부지역은 현재 글로벌 IT 기업들이 생산 거점으로 진출하고 있다. 중국 고객들이 지속적으로 확대되고 있는 신성장 지역으로 신속한 시장 트렌드 반영과 고객 대응이 가능한 전략 거점으로 성장할 전망이다.

삼성전자는 스마트폰·태블릿에 이어 초경량 슬림 노트북 시장에서 수요가 대폭 확대됨에 따라 올해 고성능 대용량 10나노급 낸드플래시를 양산해 프리미엄 메모리 시장을 주도할 계획이다.

또 2013년부터는 중국에서도 10나노급 낸드 플래시 양산을 개시, 중국 시장을 선점해 나갈 예정이다.