HBM3E 만든 CXMT, 7조원 투자…HBM4 정조준

CXMT 본사 사옥 전경 [사진=로이터·연합]

중국 최대 D램 업체 창신커지(長鑫科技, CXMT)가 약 7조원 규모의 대규모 투자를 단행한다. HBM3E를 소량 생산해낸 CXMT가 HBM 경쟁력 확보에 속도를 내는 것으로 풀이된다. 

CXMT는 28일 밤 거래소 공시를 통해 총 349억 위안(약 7조원) 규모의 신규 투자 계획을 발표했다. 이 가운데 241억 위안은 기술 연구개발 프로젝트에, 108억 위안은 후공정 테스트기지 건설에 각각 투입한다. 

특히 기술 연구개발 프로젝트의 전체 투자액 241억 위안 가운데 223억 9800만 위안이 장비 구입비로 책정됐다. 전체의 92.94%에 달하는 금액이다. 프로젝트 건설 기간은 30개월로, CXMT는 이를 통해 제품과 공정 기술의 세대 교체를 가속화하고 메모리 밀도와 전력 효율, 성능을 높인다는 계획이다. 

CXMT는 이미 HBM3E 개발·생산 단계에 진입했다. HBM은 여러 장의 D램을 수직으로 적층해 만드는 고대역폭 메모리로, 일반 D램보다 미세 공정과 수율뿐 아니라 적층·패키징 및 테스트 기술이 중요하다. 

따라서 이번 241억 위안 규모의 차세대 D램 기술 투자는 HBM에 사용되는 고성능 D램의 공정 기술을 고도화하고 생산 수율을 끌어올리기 위한 기반으로 활용될 가능성이 있다. 특히 대규모 장비 투자를 통해 차세대 D램 공정의 연구개발과 양산 전환 능력을 강화할 것으로 분석된다. 

108억 위안을 투입하는 후공정 테스트기지 2기도 HBM과 연결된다. CXMT는 이곳에 테스트 공장을 건설해 D램 테스트와 모듈 조립을 담당하게 할 예정이다. 회사는 생산능력 확대와 제품 종류 증가에 따라 외부 후공정 업체의 테스트 능력이 부족해질 수 있다며 자체 테스트 역량 확보가 필요하다고 설명했다. 자체 후공정 라인 확보 역시 HBM 생산 확대를 대비하는 차원인 셈이다. 

결국 이번 투자는 단순한 D램 생산능력 확대를 넘어 HBM3E 이후 HBM4로 이어지는 고성능 메모리 경쟁에 대비하는 성격이 강한 것으로 분석된다. 

한편 미국 정보기술(IT) 전문 매체 디인포메이션은 지난 8월 31일 사안에 정통한 관계자 2명을 인용해 CXMT가 HBM3E 소량 생산을 시작했다. 생산된 HBM3E는 알리바바 산하 AI 반도체 설계 업체 '핑터우거(平頭哥)'와 중국 AI 반도체 업체 캠브리콘 등 두 곳에서 퀄테스트를 진행하고 있다. 테스트를 통과할 경우 이르면 2027년 출시 제품에 CXMT의 HBM이 탑재되는 방안이 검토되고 있다.