반도체, 다시 시작되는 ‘寒波’…내년 1달러 붕괴 전망

(아주경제 김지성 기자) 메모리 반도체 시장에 한파(寒波)가 다시 몰려오고 있다. 이르면 내년 상반기 1Gb DDR3 가격이 1달러선 아래로 추락할 가능성마저 제기됐다.

25일 업계에 따르면 지난 주(22일) 1Gb DDR3(1333MHz)의 현물가격은 전 주(15일) 보다 3.1% 하락한 1.9달러로 하락세가 지속됐다. PC수요가 정체된 가운데 삼성전자, 하이닉스반도체는 물론 이노테라, 난야 등 대만업체들도 공급량을 늘리고 있기 때문이다.

삼성전자 관계자는 "올해 말까지 전체 공정에서 40나노 이하 공정이 차지하는 비율을 60% 선까지 올릴 계획"이라고 말했다.

하이닉스 역시 40나노급 공정 비율을 50% 수준으로 올리겠다는 복안이다. 미세공정이 50나노급에서 40나노급으로 전환되면 생산성은 약 60% 정도 오른다는 것이 삼성전자와 하이닉스의 판단이다.

산술적으로만 보면 전체 공정의 절반이 40나노급으로 이뤄지면 D램 공급량은 30% 이상 늘어나게 된다. 전문가들은 이 같은 추세라면 내년 2분기 안에 1달러선도 붕괴될 가능성이 있다고 지적했다.

최성제 KTB투자증권 연구원은 “공급과잉이 시작됐다”면서 “내년 2분기말까지 공급초과에 따라 메모리 가격 하락폭이 심화될 것”이라고 말했다. 이어 그는 “내년에는 1달러 아래로 떨어질 수도 있다”고 덧붙였다.

게다가 삼성전자 등 공급사들이 앞 다퉈 미세공정 전환에 나서면서 원가하락에 따른 제품 가격하락이 촉진되고 있다.

실제로 올 4분기 D램 시장 전체 공급증가율은 동기 대비 18% 증가가 예상된다. 이는 PC성장률이 올해 4분기 4.4%의 소폭 증가 후 내년 1분기 -7.2%, 2분기 +0.1%로 후퇴할 것이란 예상에 기반 한다.

또 미세공정 전환에 따른 원가하락으로 1Gb DDR3 제품가격은 4분기 30%, 내년 상반기 20~30% 추가하락이 전망되고 있다.

특히 대만업체들이 지난 9월부터 전 공정을 50나노급으로 전환해 원가절감에 돌입했다. 이전까지 이들은 70나노 공정이 주력이었다. 여기에 이노테라와 난야 등은 내년 2분기 안에 40나노 공정을 시작할 계획이어서 원가절감이 가속될 공산 크다.

업계에서는 기존 50나노 공정이 40나노로 전환될 경우 1Gb DDR3의 현금원가는 1.1달러에서 0.7달러까지 떨어지는 것으로 추산하고 있다. 이렇게 되면 D램 업체들은 1Gb DDR3 가격이 개당 0.91달러여도 최대 30%의 마진이 가능하다. 공정전환이 가격하락을 유발하게 되는 셈이다.

이와 관련 업계 한 관계자는 “내년에는 삼성전자와 하이닉스의 영업이익 감소가 불가피 할 것”이라며 “모바일 D램 등 소위 스페셜 제품 판매 확대를 통한 균형 잡기가 더 중요해졌다”고 말했다. 

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