하이닉스, 내년 1Q 30나노 D램 시대 연다

(아주경제 이하늘 기자)하이닉스반도체가 내년 1분기 중 30나노급 D램 양산에 들어가며 삼성전자와 더불어 D램 부문 양강체제를 더욱 단단히 한다.

하이닉스 권오철 대표이사 사장은 23일 서울 삼성동 그랜드인터콘테넨탈 호텔에서 기자들과 만나 "이미 30나노급 공정개발을 마무리 했다"며 "내년 1분기 안에 양산에 들어갈 것"이라고 설명했다.

현재 30나노급 D램을 생산하고 있는 기업은 삼성전자가 유일하다. 이에 이어 하이닉스까지 30나노 양산에 들어간 것. 이같은 미세공정전환에 성공함으로써 하이닉스는 생산원가를 크게 줄일 수 있다. 30나노급 D램은 경쟁사들이 머물러있는 50나노급 제품에 비해 2.5배 이상 생산성이 높다.

특히 최근 1Ghz DDR3 D램 가격이 1달러 밑으로 하락하면서 생산성 향상은 수익성 개선을 넘어 D램 업계에서 생존을 위한 절대적인 조건이다. 이같은 추세라면 올 4분기 삼성전자와 하이닉스를 제외한 모든 D램 주요 기업들은 적자전환할 것으로 보인다.

아울러 권 사장은 "현재 후발업체들이 생산원가보다 낮은 가격에 D램을 공급하고 가격폭이 크게 떨어지지는 않을 것"이라며 "1분기에도 실적이 크게 떨어지지 않을 것"이라고 자신했다.

한편 내년도 투자는 올해와 비슷한 수준(3조3800억원)에서 이뤄질 전망이다. 권 사장은 "내년 투자는 올해 수준에서 상하로 조정될 것"이라며 "업황에 따라 시나리오 경영을 펼칠 것"이라고 전했다.