인텔 파운드리·ASML, 하이 NA EUV 양산 성과 공개…웨이퍼 100만 장 돌파

차세대 '6x12인치' 대형 마스크 포맷 생태계 구축

인텔 팹 25에 위치한 ASML의 EXE 5000 하이 NA EUV 장비 [사진=인텔코리아]

인텔 파운드리와 ASML이 차세대 리소그래피 기술인 '하이 NA (Numerical Aperture) 극자외선(EUV)' 공정의 양산 적용 성과와 향후 기술 로드맵을 발표했다. 

8일 업계에 따르면 인텔 파운드리는 최근 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열린 'SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 차세대 극자외선 공정' 콘퍼런스를 통해 협력 현황을 공유했다.

차세대 프로세서 '팬서 레이크'의 일부 레이어 양산을 포함해 현재까지 100만 장 이상의 웨이퍼 공정에 본 기술을 적용했다. 인텔 파운드리 관계자는 "오버레이(중첩 정밀도)와 스루풋(처리량), 가동률 모두 기대치에 부합하는 성과를 거두었다"고 설명했다.

특히 인텔 18A 공정에 하이 NA를 도입해 생산한 제품은 기존 0.33 NA 사양의 NXE 플랫폼 기반 제품과 비교해 동등하거나 이를 상회하는 성능을 기록했다.

고객 지원 체계에서는 기존 6인치 마스크 규격을 유지하면서도 하이 NA의 이점을 활용할 수 있도록 '층별 배치' 계획과 '스티칭' 기술, 공정 설계 키트 솔루션을 제공 중이다.

양사는 지난 3년간 마스크 생태계 통합을 위한 '대형 마스크 포맷 이니셔티브'를 주도하며 6인치 마스크 기반의 단기 지원과 향후 6x12인치 대형 마스크 포맷으로의 전환을 병행하고 있다.

크리스토프 푸케 ASML CEO는 "인텔 파운드리를 하이 NA 도입을 이끈 핵심 리더라고 평가하며 표준화와 마스크 혁신 노력을 높이 산다"고 밝혔다.

나가 찬드라세카란 인텔 파운드리 공동 총괄 매니저 역시 "ASML 및 업계 생태계 전반과 협력해 하이 NA 극자외선 확장을 위한 인프라 발전을 지속 추진해 나갈 것"이라고 전했다.