삼성전자, D램 격차 3년 이상 벌였다

- 세계 최초 30나노급 D램 개발

- 올 하반기 중 양산 계획

 

삼성전자가 지난 2년간 치열하게 전개됐던 D램 반도체 전쟁에 종지부를 찍었다.

 

1일 삼성전자는 지난달 세계 최초로 30나노(1나노미터=10억분의 1m) 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

 

지난해 12월 기술개발을 완료한 삼성전자는 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난달 중순께 합격 판정을 받았다.

 

이번 기술개발은 그동안 업계에서 한계로 여겨왔던 30나노 공정 개발에 성공했다는데 의미가 있다. 특히 기술 개발 기간도 크게 단축했다. 삼성전자는 50나노에서 40나노 공정을 개발하는데 2년3개월의 시간을 들였다. 그러나 1년 만에 40나노에서 30나노로 미세공정 개발에 성공, 경쟁사와의 기술 격차를 더욱 벌였다.

 

일본 엘피다와 미국 마이크론은 여전히 60나노 공정에 머물러 있다. 지난해 말 엘피다가 40나노 양산에 돌입했다고 발표했지만 D램 주요 고객인 인텔의 인증을 받지 않아 완전히 신뢰할 수 없다. 업계에서는 이들이 제대로 된 40나노 양산에 착수하려면 일러야 올 4분기는 돼야 한다는 것이 업계의 분석이다.

 

대만 업체들은 60나노 공정에서도 어려움을 겪고 있다. 삼성전자와는 최소 3년 이상의 기술격차가 벌어진 것. 업계 관계자는 “대만 업체들이 삼성전자를 따라잡을 가능성은 희박하다”며 “이번 개발을 통해 그 벽은 더욱 견고해졌다”고 설명했다.

 

삼성전자와 치열한 기술경쟁을 벌였던 하이닉스 역시 30나노에서는 다소 뒤처지게 됐다. 하이닉스 관계자는 “연말까지 30나노 기술개발을 마치고 초기 양산 시스템을 마련할 계획”이라고 설명했다. 
 

D램 업계에서 나노 경쟁이 치열한 것은 미세공정 양산이 곧바로 원가절감과 직결되기 때문이다. 공정 두께가 얇을수록 웨이퍼 한장에 더욱 많은 반도체 제품을 넣을 수 있다. 이는 곧 생산상 향상과 원가절감으로 이어진다. 삼성전자는 이를 통해 현재 35%에 달하는 점유율을 40%까지 높인다는 각오다. 

실제로 30나노 D램은 40나노보다 60% 상당 생산성이 높다. 50~60나노에 비해 원가경쟁력을 두 배 이상 확보할 수 있다. 때문에 후발업체들이 뒤늦게 개발에 성공해도 원가경쟁력을 통해 시장을 지속적으로 주도할 수 있다.

 

아울러 미세공정 제품은 소비전력을 줄여 최근 전자업계에 불고 있는 ‘친환경’ 트렌드와도 부합한다. 이번 기술은 50나노에 비해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있다. 40나노에 비해서는 15% 효율이 좋다.

 

삼성전자 관계자는 "이번 30나노급 기술 개발은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화한다는 의미"라며 "경쟁사보다 앞선 기술을 통해 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 밝혔다.

아주경제= 이하늘 기자 [e-mail]
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