삼성, 메모리반도체 독주 체제 갖춘다

- 월 20만장 이상 웨이퍼 추가생산 가능

- 수익성·점유율 두마리 토끼 잡는다

(아주경제 이하늘 기자) 삼성전자가 2005년 15라인 건설 이후 5년만에 신규 라인 건설에 나서며 메모리 분야에서 1위 자리를 더욱 단단히 한다.

 

17일 삼성전자는 삼성나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 기공식’을 갖고 올해 반도체 부문에 11조원을 투자한다고 밝혔다.

 

이 가운데 16라인 증설과 30나노급 D램 공정 전환 등에 총 9조원이 투자된다. 내년부터 본격 양산되는 이 신규라인은 매달 12인치 웨이퍼 20만장을 생산할 수 있는 규모다. 삼성전자의 웨이퍼 생산량은 1급 기밀로 분류돼 정확한 수치를 알 수 없다.

다만 월 20만장은 기존 라인의 생산량을 크게 상회한다는게 업계의 추측이다. 삼성전자는 16라인에서 30나노 D램과 20나노 낸드플래시 등 미세공정 제품을 생산한다는 계획이다.

 

여기에 30나노급 공정 비율을 10% 이상 상회함으로써 삼성전자의 D램 생산량은 더욱 크게 증가할 것으로 보인다. 통상 10나노 정도 공정이 미세화 될수록 생산량은 60% 가량 증가한다.

 

이에 맞춰 삼성전자는 포토 장비업체인 네덜란드 ASMN의 첨단 장비를 20대 가까이 선주문 한 것으로 알려졌다. 이 기기는 40나노 이하 미세공정에서 일정 수준 이상의 수율을 갖출 수 있는 유일한 장비로 40나노 이하 공정에 필수적이다.

 

특히 주문 이후 6개월에서 1년의 시간이 소요되는 것을 감안하면 삼성전자가 이미 대량 주문을 체결했기 때문에 경쟁사들은 미세공정을 위한 장비 구입에도 난항을 겪을 것으로 보인다.

 

그나마 하이닉스가 8대 정도의 물량을 확보한 것으로 알려졌지만, 삼성과 하이닉스를 제외한 물량은 10대 안팎에 불과한 것으로 보인다.

 

이처럼 삼성전자의 공격적인 메모리 투자가 시작되면서 하이닉스를 제외한 후발업체들은 최근 가까스로 마무리된 치킨게임의 재발 악몽에 시달리게 됐다. 지난해 파산하거나 직전까지 몰렸던 이들 업체들은 메모리반도체 물량 수요 늘면서 올 초 숨통이 트였다.

 

하지만 내년 삼성전자가 16라인 증설과 미세공정 전환을 통해 공급 확대에 나서면 이들은 다시 위기에 빠지게 된다. 미국 마이크론과 일본 엘피다 역시 최근 미세공정에 돌입했지만 수율(불량률의 반대 의미)이 좋지 않아 고전하고 있는 것으로 알려졌다.

 

삼성전자 관계자는 “이번 증설은 메모리 분야에서 시장지배력을 높이기 위한 장기적 투자”라며 “삼성전자는 이미 수율과 가격 경쟁 면에서 우위를 점하고 있기 때문에 생산량이 늘어나도 수익성에 큰 영향을 주지 않을 것”이라고 자신했다.

 

한편 시스템 LSI 부문에 대한 2조원 투자 역시 반도체 업계의 관심을 모으고 있다. 업계 관계자는 “16라인은 이미 예상한 투자지만 삼성이 비메모리 분야에 이처럼 대대적인 투자를 할지 몰랐다”고 설명했다.

 

시스템LSI는 다품종 소량 생산 방식의 고부가가치 산업이다. 때문에 라인 등 설비 투자 규모가 크지 않다. 이에 따라 삼성전자는 국내외 우수 인재 확보와 핵심 장비 구입 및 개발에 자본을 투입, 미래성장동력인 시스템LSI 분야에서도 경쟁력을 강화할 수 있을 것으로 보인다.

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