삼성전자 '차세대' 메모리 반도체 개발 속도

- D램 주요 연구진, 차세대 라인으로 이동

- 2015년 이후 미세공정 한계 돌파 초석

(아주경제 이하늘 기자) D램과 낸드 등 주요 메모리 반도체 세계 1위를 독주하고 있는 삼성전자가 차세대 메모리 반도체 개발에 속도를 붙이고 있다.

 

26일 업계와 삼성전자 내부 인사에 따르면 삼성전자는 최근 P램 등 차세대 반도체 연구개발에 인력을 속속 투입하고 있는 것으로 알려졌다.

 

삼성전자의 한 연구원은 “최근 D램 연구인력들이 차세대 반도체 연구개발 파트로 이동하고 있다”며 “이들은 D램 파트에서 연구성과가 높은 연구진들”이라고 설명했다.

 

이처럼 삼성전자가 차세대 반도체 연구에 역점을 두고 있는 것은 D램 한계론이 가시화되고 있기 때문이다.

 

실제로 삼성전자 반도체 사업부 권오현 사장은 지난해 “2015년을 전후해 D램 메모리 공정기술이 한계에 다다를 것”이라며 “차세대 메모리 개발을 위한 원천기술 확보가 절실하다”고 강조했다.

 

현재 삼성전자가 상용화에 성공한 차세대 메모리 반도체는 ‘P램’이다. 지난 4월에는 512Mb(메가비트) 용량의 P램 상용화에 성공했다. 이 제품은 D램과 달리 비휘발성으로 데이터 저장이 가능하면서도 읽기·쓰기 속도가 빠르다. 플래시 메모리와 D램의 장점만 취하고 있는 것.

 

특히 P램은 삼성전자가 상대적으로 뒤처진 노어 플래시를 대체할 수 있다. 삼성전자는 D램과 낸드에서 1위를 달리고 있지만 노어 시장에서는 뉴모닉스에 1위 자리를 내어줬다. P램의 기술개발이 속도를 내게 되면 삼성전자는 전체 메모리 시장에서 명실상부한 1위 자리에 오를 수 있다.

 

다만 그 용량 개발이 시급하다. 이미 기가바이트(GB) 대를 넘어 테라바이트(TB)로 용량을 넓히고 있는 플래시 메모리에 비해 저장 용량이 협소하다. 이를 위한 기술 개발 속도 역시 기대에 못 미쳐 시급한 개발이 필요하다.

 

그나마 P램은 상용화에 성공해 모바일 기기 등에 제한적으로 사용되고 있다. 나머지 M램, F램 등은 아직 상용화에 많은 제약이 있는 것으로 알려졌다.

 

이와 관련해 삼성전자 관계자는 “최근 미세공정 발전에 한계가 있다는 전망이 나오고 있지만 과거에도 나노공정 전환이 불가능할 것이라는 전망이 힘을 얻었다”며 “20나노 이후 공정에 어려움이 있는 것은 사실이지만 이 역시 기술이 발전하면서 자연스레 해결될 것”이라고 설명했다.

 

그는 다만 “차세대 메모리는 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 기능을 갖춘 만큼 미래 시장을 대비하기 위해 회사 차원에서 기술 역량 강화에 나서고 있다”며 “D램과 낸드 플래시 부문에서 갖고 있는 기술경쟁력을 이들 차세대 메모리에도 접목해 반도체 부문에서 경쟁력을 지속적으로 강화하기 위한 조치”라고 전했다.

[e-mail]
[아주경제 ajnews.co.kr] 무단전재 배포금지