물속에서도 젖지 않는 차세대 메모리 소자 원천기술 개발

용기중 포스텍 교수

(아주경제 권석림 기자) 국내 연구진이 머리카락 굵기의 10만분의 1 정도인 얇은 나노선(Nano Wire)을 이용해 물속에서도 젖지 않는 차세대 메모리 소자를 개발, 방수되는 컴퓨터와 스마트폰 개발에 한걸음 다가서게 됐다.

교육과학기술부는 용기중 포스텍 교수(사진) 연구팀이 생체모방기술(연잎효과)을 이용해 물속에서도 젖지 않으면서 전원 없이도 저장된 정보를 유지할 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 소자(저항메모리 소자, RRAM) 개발에 성공했다고 22일 밝혔다.

연구팀에 따르면 텅스텐 산화물 반도체 나노선을 합성한 후, 표면을 단분자막으로 화학코팅해 물속에서도 젖지 않으면서 자가세정 효과가 있는(초발수, 超撥水) 저항메모리 소자를 개발했다.

기존의 저항메모리 소자 개발에 추가적인 공정 없이도 초발수 특성을 유지, 물에 젖지 않으면서도 안정적으로 소자가 작동되는 것이 특징이다.

용 교수는 “나노소자와 생체모방기술을 접목해 반도체 소자의 방수특성을 더욱 향상시켰다" 며 "향후 방수되는 컴퓨터와 스마트폰 개발에 적극 활용될 수 있을 것”이라고 말했다.

연구결과는 신소재분야의 권위 있는 학술지인 ‘어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)’ 온라인에 지난 10일 실렸다.