
중국 최대 메모리 반도체 업체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 고대역폭메모리(HBM)를 포함한 D램 제조 분야로 사업을 확장할 계획이라고 로이터통신이 소식통을 인용해 25일 보도했다.
복수의 소식통에 따르면 YMTC는 고급 반도체 패키징 기술인 '실리콘 관통 전극(TSV)' 공정을 개발 중이다.
한 관계자는 YMTC가 우한에 건설 중인 신규 반도체 생산 시설의 일부를 D램 생산 라인으로 구축하는 것도 고려하고 있다고 전했다.
다만 신규 공장의 월간 생산능력이나, D램 할당 규모에 대해서는 확인되지 않았다고 로이터는 덧붙였다.
앞서 모건스탠리는 메모리 반도체에 주력해 온 YMTC 기존 공장 두 곳 모두 지난해 말 기준 월 16만 개의 12인치 웨이퍼를 생산할 수 있으며 올해는 생산 능력을 6만5000개 늘릴 것으로 내다본 바 있다.
현재 HBM은 SK하이닉스와 삼성전자, 미국 마이크론 등 3개사만 제조하고 있으며, 중국 기업 가운데서는 YMTC의 경쟁사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발 단계에 있다.
로이터는 국영 기업인 YMTC의 이 같은 행보에 대해 "미국이 지난해 12월 대(對)중국 HBM 수출 통제를 확대한 이후, 첨단 반도체 제조 역량을 강화하려는 긴박감이 커지고 있음을 보여준다"고 말했다.
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