삼성, '메모리 컨트롤타워' 신설···HBM·D램·낸드 개발 총결집

삼성전자, 2026년도 DS부문 조직 개편 단행

메모리 반도체 개발 담당 신설···메모리 전 제품 개발 통솔

엔비디아 5만개 GPU 활용 구상할 '디지털 트윈센터' 가동

지난 10월 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2025'에 마련된 삼성전자 전시관에 HBM4와 HBM3E 실물이 전시돼있다. [사진=연합뉴스]

삼성전자가 반도체 사업을 맡는 DS(디바이스솔루션) 부문에 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 개발 전반을 총괄하는 조직을 신설한다. 사실상 '메모리 개발 컨트롤타워'를 만들어 글로벌 기술 경쟁력을 다잡겠다는 의지로 풀이된다.
 
28일 업계에 따르면 삼성전자는 전날 DS 부문 주요 임원진 대상으로 '2026년도 조직 개편' 설명회를 열고 DS부문 메모리사업부 산하에 '메모리 반도체 개발 담당'을 신설하는 내용을 발표했다. 지금까지 메모리사업부 산하에 D램 개발실, 플래시 개발실 등 '실' 단위로 운영해 오던 조직을 개편해, 모든 메모리 반도체 개발을 총괄하는 '담당' 부서를 새롭게 만든 것이다.
 
수장에는 현재 D램 개발실장을 맡고 있는 황상준 부사장이 맡는다. 황 부사장은 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발을 진두지휘한 인물이다. 이번 총괄 조직을 이끌게 되면서 D램, 낸드, HBM 등 제품별로 분산돼 있던 인력과 기술력을 하나로 융합하고 차세대 메모리 개발의 효율성을 극대화할 전망이다.
 
지난해 별도 신설한 HBM 개발팀은 D램 개발실 산하 설계팀으로 재편한다. 지난해 7월 전영현 DS부문장(부회장)이 삼성전자의 메모리 사업 수장으로 오른 후 첫 행보로 HBM 개발팀을 만들었다. 조직 내 '메모리 최정예 부대'라고 불릴 정도로 핵심 엔지니어들이 모여 차세대 HBM 개발에 속도를 높이겠단 취지였다.
 

이날 조직 개편을 통해 HBM 개발팀이 약 1년여 만에 '독립생활'을 마치고 메모리 개발 담당 소속으로 들어가게 됐다. 6세대 HBM(HBM4) 개발 기술력이 상당 부분 확보됐다는 자신감으로 읽히는 대목이다. 신설 당시부터 HBM 개발팀을 이끌던 손영수 부사장이 설계 팀장을 맡는다.
 
글로벌 제조 인프라 총괄 산하에는 '디지털 트윈센터'가 설치된다. 디지털 트윈은 사물이나 시스템 등을 가상 공간에서 똑같이 구현하는 기술을 의미한다. 삼성전자는 지난달 말 엔비디아의 5만개 그래픽처리장치(GPU)를 활용해 '반도체 인공지능(AI) 팩토리'로 반도체 제조 혁신을 이루겠다고 발표했다. 이에 맞춰 디지털 트윈센터는 AI 팩토리 전략을 주도하며 구체적인 GPU 활용 방안을 기획할 방침이다.
 
여기에 삼성전자의 선행 R&D 조직인 SAIT(옛 삼성종합기술원)도 힘을 보탠다. SAIT는 기존 '센터' 체제보다 더 작은 단위의 '플랫폼' 체제로 압축하기로 했다. 하루가 다르게 변하는 AI 기술 트렌드에 대응하기 위해 조직을 유연하게 운용하기 위해서다.
 
삼성전자는 SAIT 신임 원장으로 박홍근 하버드대 교수를 영입하고 사장급으로 위촉했다.