[컨콜종합] SK하이닉스 "HBM·D램 수요 견조…HBM4E 1c나노 적용, 2027년 양산"

2분기 D램·낸드 출하 증가…AI 수요에 메모리 업황 강세 지속

공급 부족 장기화 속 투자 확대…ADR 상장·주주환원도 병행

[사진=SK하이닉스]

SK하이닉스가 인공지능(AI) 수요 확대를 기반으로 메모리 업황 강세가 이어질 것으로 전망했다. 특히 차세대 고대역폭메모리(HBM)4E에 1c나노 공정을 적용해 하반기 샘플 공급, 2027년 양산을 추진하며 기술 리더십을 강화한다는 계획이다.

23일 SK하이닉스는 2026년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 매출 12조4296억원, 영업이익 5조2886억원을 기록했다고 밝혔다. 회사는 "PC와 모바일은 가격 상승에 따른 일부 수요 둔화가 나타나고 있지만 서버용 메모리 수요가 강세를 보이며 전체 시장을 견인하고 있다"고 설명했다. 이어 "AI 확산으로 고성능 메모리 수요가 빠르게 증가하고 있으며 고객들이 가격보다 물량 확보를 우선하는 흐름이 뚜렷하다"고 강조했다.

회사에 따르면 2분기에도 출하 증가세가 이어질 전망이다. SK하이닉스는 "D램은 고용량 서버 모듈과 모바일 수요에 힘입어 전분기 대비 한 자릿수 후반 증가가 예상된다"며 "낸드는 321단 제품과 엔터프라이즈 SSD 확대에 따라 10% 중반 수준의 출하 증가가 기대된다"고 밝혔다.

HBM 사업 경쟁력도 재차 강조했다. SK하이닉스는 "HBM은 성능뿐 아니라 수율과 공급 안정성을 포함한 종합 경쟁력이 중요한 사업"이라며 "HBM4는 고객 양산 일정에 맞춰 공급 준비를 진행 중이고 향후 3년간 수요는 현재 캐파를 크게 상회하는 수준"이라고 설명했다. 다만 "제한된 생산능력 내에서 HBM과 일반 D램 간 균형 있는 공급 전략을 유지할 것"이라고 밝혔다.

차세대 제품인 HBM4E도 구체화됐다. 회사는 "HBM4E는 고객 요구 성능을 반영해 코어 다이에 1c나노 공정을 적용할 계획이며 하반기 샘플 공급, 2027년 양산을 목표로 개발 중"이라며 "1c나노 공정은 이미 양산성과 수율 측면에서 안정 단계에 진입했다"고 설명했다.

수급 구조에 대해서는 공급 부족 장기화를 전망했다. SK하이닉스는 "현물 가격 변동은 전체 시장을 대표하기 어렵다"며 "HBM과 서버 D램, eSSD 중심으로 수요는 증가하는 반면 공급 확대는 제한적"이라고 밝혔다. 이어 "이 같은 불균형이 지속될 경우 메모리 가격 상승 사이클이 과거보다 길어질 가능성이 있다"고 덧붙였다.

AI 기술 변화도 수요 확대 요인으로 꼽았다. 회사는 "메모리 효율화 기술은 단위 메모리당 정보 처리량을 극대화하는 방향으로 발전하고 있다"며 "이는 AI 서비스 시장 확대와 메모리 수요 증가로 이어지는 선순환 구조를 형성할 것"이라고 설명했다.

투자와 공급 전략도 동시에 제시했다. SK하이닉스는 "공급과잉 우려는 크지 않다"며 "용인 클러스터를 중심으로 중장기 생산능력 확보 투자를 계획대로 진행할 것"이라고 밝혔다. 이어 "장기공급계약(LTA)은 수요 가시성을 높일 수 있지만 현재 공급 제약으로 모든 고객 요청을 수용하기는 어렵다"고 말했다.

재무 전략과 주주환원 정책도 병행한다. 회사는 "순현금 100조원 이상의 재무 건전성 확보와 배당 확대는 동시에 추진 가능한 목표"라며 "자사주 매입과 소각 등 추가적인 주주환원 방안도 연내 마련할 계획"이라고 밝혔다.

이와 함께 미국 자본시장 진출도 추진 중이다. SK하이닉스는 "ADR 상장을 위한 등록 신청서를 제출했으며 연내 상장을 목표로 하고 있다"며 "세부 일정과 방식은 시장 상황 등을 고려해 결정할 것"이라고 밝혔다.