안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)' 기조연설에서 "AI 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해보다 약 20배 커질 것"이라고 전망했다.
안 사장은 AI 추론의 작업 복잡도와 처리 정보량, 요청량이 동시에 증가하면서 메모리 수요도 급증하고 있다고 진단했다. 특히 AI가 처리한 정보를 저장·재활용하는 'KV 캐시'가 늘면서 HBM과 D램, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 간 데이터 이동이 새로운 성능 병목으로 작용하고 있다고 설명했다.
이에 SK하이닉스는 맞춤형 HBM을 확대하는 한편, HBM 대비 10배 이상의 용량을 목표로 하는 고대역폭 플래시(HBF)와 연산용 반도체 위에 D램을 직접 쌓는 3차원 적층 D램 개발을 추진한다. 안 사장은 "표준형 HBM과 맞춤형 HBM이 병행하겠지만 장기적으로는 맞춤형 제품이 더 확대될 것"이라고 밝혔다.
송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 이날 행사장에서 4F² 기술 개발 여부를 묻는 취재진의 질문에 "그렇다"고 답했다. 개발 진행 상황에 대해서는 "열심히 합니다"라며 말을 아꼈다. 앞서 삼성전자와 SK하이닉스도 해당 기술을 연구해 왔으나 원가 문제 등으로 아직 양산에는 적용하지 않은 것으로 알려졌다. 중국의 기술 개발 속도가 빨라지는 가운데 국내 기업들도 차세대 메모리 기술 확보에 주력하고 있는 모양새다.
이런 가운데 양사는 이날 전시회에서 각각의 강점을 내세운 차세대 AI 반도체 기술과 사업 전략을 공개했다.
삼성전자는 메모리부터 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합 반도체 역량을 앞세웠다. 차세대 HBM4E와 4나노 공정 기반 HBM4E 베이스다이, 3차원 메모리 기술인 zHBM 등을 전시하며 AI 반도체 통합 솔루션을 소개했다. 올해 신설한 '반도체 클러스터존'에서는 용인 국가산업단지 등 주요 생산 거점과 인프라 확충 계획을 공개했다. 삼성전자가 약 360조원을 투자하는 용인 국가산단은 2027년 부지 조성과 착공을 시작해 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다.
SK하이닉스는 HBM 중심의 AI 메모리 기술과 엔비디아와의 협력에 무게를 뒀다. 전시장 내 최대 규모의 부스에 HBM·HBF 구조 모형과 AI 서버용 고성능 D램, 기업용 SSD 등을 배치했다. 특히 엔비디아의 '베라 루빈' 슈퍼칩과 젠슨 황 최고경영자(CEO)의 서명이 담긴 HBM 웨이퍼로 양사 간 협력 관계를 강조했다. 서버용 256GB 3DS RDIMM과 모바일용 LPDDR6 등 다양한 메모리 제품도 선보였다.
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