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최성율 ETRI 박사 |
대전 대덕연구개발특구 내 한국전자통신연구원(ETRI)은 값싼 흑연을 이용해 저가격, 탄력성 있는 메모리 소자 제작이 가능한 기술을 개발하고, 관련 원천특허를 확보했다고 6일 밝혔다.
휴대전화, 디지털 카메라 등에는 플래시 메모리(Flash Memory)라는 비휘발성 메모리 칩이 들어 있는데 기존 플래시 메모리는 실리콘을 기반으로 한 고체 소자이고 용량을 늘리기 위해서는 값비싼 공정기술을 사용해야 했다.
최성율 ETRI 박사 주도로 ETRI, 한국과학기술원(KAIST), 한양대 등 공동연구팀이 개발한 이 기술은 흑연을 화학처리해 얻어낸 그래핀 산화물을 이용해 값싸고 간단한 공정으로 제작할 수 있는 데다 플라스틱 기판 등에 제작해 쉽게 구부릴 수 있다.
연구진은 실험을 통해 1000번 이상 구부려도 메모리 특성이 그대로 유지되는 사실도 확인했다.
이 같은 연구성과는 나노과학기술 분야 세계적 학술지인 '나노 레터스(Nano Letters)' 온라인 속보로 지난 4일 게재됐다.
한편 이번 연구는 산업기술연구회 주요사업(정부출연금사업)인 ETRI 연구역량 강화를 위한 R&D 체계 구축 및 시드(Seed)형 기술개발을 위한 창의형 연구사업과 지식경제부에서 지원한 차세대 휘발성 메모리 기술개발 사업의 일환으로 개발됐다.
ksrkwon@ajnews.co.kr
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