하이닉스, 세계 최초 WLP 적층 성공

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입력 2010-03-07 13:46
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- 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 2단 적층 성공

하이닉스반도체가 첨단기술을 앞세워 원가 절감 및 고성능∙초소형 패키지 구현에 성공했다.

7일 하이닉스는 세계 최초로 '웨이퍼 레벨 패키지'(WLP)를 2단으로 적층하는 기술을 개발했다고 밝혔다.

웨이퍼 레벨 패키지 기술은 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존 방식과 달리, 웨이퍼 상태에서 한번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단해 완제품을 만들어 내는 기술이다.

이는 패키지 비용을 절감할 수 있다. 다만 회로가 있는 칩의 윗부분이 뒤집혀 모듈 기판과 맞닿게 돼 칩을 적층하지 못하는 구조적 단점이 있었다.
 
이에 하이닉스는 '관통 전극'(TSV) 기술을 활용해 적층에 성공했다.TSV는 웨이퍼에 직접 구멍을 뚫어 전극을 형성하는 기술이다. 기존 '와이어본딩'(Wire bonding) 방식에 비해 고성능 및 소형화에 장점이 있다. 

이를 통해 데이터 전송 경로를 단축했다. 아울러 더 많은 정보입출구(I/O)를 만들 수 있어 고성능 패키지 구현이 가능케 됐다. 또한 패키지 크기와 두께가 줄어들고, 제조원가도 절감된다.

하이닉스 패키지 개발 그룹장 변광유 상무는 "이번 개발은 웨이퍼 레벨 패키지와 관통전극 기술의 장점만을 취한 패키지 형태"라며 "향후 4단, 8단 이상의 적층까지 개발할 것"이라고 밝혔다.

아주경제= 이하늘 기자 ehn@ajnews.co.kr
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