김기남 삼성電 종기원장, "10나노 이하 가능"

(아주경제 조영빈 기자) “반도체 실리콘 기술이 10나노미터 이하로 계속 발전하는 데는 한계가 없을 것입니다.”
　
김기남 삼성전자 종합기술원장이 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 2010 IEDM(국제반도체학회) 기조연설에서 “실리콘 기술은 한계를 극복하고 계속 발전할 것”이라며 이같이 밝혔다.
　
김 원장은 이 날 ‘도전과 기회’를 주제로 한 연설을 통해 “DRAM·플래시메모리·로직 디바이스 등 실리콘 기술이 여러 도전들에 직면해 있지만 스마트 디바이스의 등장으로 2020년께 컴퓨팅 파워와 저장 용량이 현재보다 60배 이상이 요구될 것”이라고 말했다.
　
실리콘 기술의 한계는 신공정·신구조·신물질을 통해 극복될 수 있으며 실제로 새로운 구조를 적용한 3D NAND와 새로운 물질을 도입한 ‘ReRAM’ 등 차세대 실리콘 기술이 대표적 사례라는 것이 김 원장의 설명이다. ReRAM(Resistive RAM)은 외부 인가 전압에 따른 저항변화 특성을 이용한 메모리다.