DB하이텍, 차세대 전력반도체 공정 개발 마무리

2026년까지 200V GaN 공정 650V GaN 공정 순차 개발

DB하이텍 부천캠퍼스 모습 [사진=DB하이텍]

DB하이텍이 전기차 충전기, 데이터센터 전력변환기 등에서 활용도가 높은 차세대 전력반도체인 650V 전계모드(E-Mode) 갈륨나이트라이드(GaN) 고전자이동도 트랜지스트(HEMT) 공정 개발을 마무리 지었다고 11일 밝혔다.
 
DB하이텍은 다음달 말 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW)를 제공한다.

GaN 소재의 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 실리콘카바이드(SiC) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 주목받고 있다.
 
특히 전기차, 인공지능(AI) 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등의 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 시장은 2025년 5억3000만 달러에서 2029년 20억1300만달러로 연평균 약 40% 성장할 전망이다.
 

이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다.

DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다.

DB하이텍 관계자는 "GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대한다"고 전했다.
 
DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 집적회로(IC) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려하여 더 넓은 전압대까지 공정을 확장할 계획이다.