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삼성전자는 3일(현지 시간), 미국 캘리포니아주 실리콘벨리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 개최해, 2027년에 회로선폭 1.4나노(나노는 10억분의 1)미터의 공정을 적용한 반도체 양산을 목표로 한다고 밝혔다.
삼성이 밝힌 파운드리 사업 로드맵에 따르면, 새로운 트랜지스터 기술인 ‘GAA 구조’를 적용한 공정기술 혁신을 지속, 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 삼성전자가 1.4나노 공정 계획에 대해 언급하는 것은 이번이 처음이다.
또한 삼성전자는 고성능컴퓨팅(HPC)과 차량용반도체, 5G이동통신 시스템, 사물인터넷(IoT) 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극적으로 공략, 2027년까지 모바일을 제외한 이들 제품군의 매출 비율을 50% 이상으로 상향하겠다는 전략이다.
삼성전자는 올 6월 3나노 반도체 제품의 양산을 업계에서 처음으로 개시했다. HPC용 시스템 반도체 생산에 적용했으며, 차량반도체에도 확대해 나간다. 아울러 현재 양산하고 있는 28나노 차량용 비휘발성 메모리(eNVM) 솔루션을 2024년 14나노로 확대하고, 향후 8나노 기술도 개발한다는 방침이다.
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